casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - JFETs / 2N4393-E3
Número de pieza del fabricante | 2N4393-E3 |
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Número de parte futuro | FT-2N4393-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N4393-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 40V |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 20V |
Drenaje Actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 500mV @ 1nA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14pF @ 20V |
Resistencia - RDS (On) | 100 Ohms |
Potencia - max | 1.8W |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-206AA (TO-18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4393-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N4393-E3-FT |
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
PMBFJ111,215
NXP USA Inc.
PMBFJ112,215
NXP USA Inc.
PMBFJ113,215
NXP USA Inc.
PMBFJ174,215
NXP USA Inc.
PMBFJ175,215
NXP USA Inc.
PMBFJ176,215
NXP USA Inc.
PMBFJ310,215
NXP USA Inc.
2SK3320-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3320-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage