casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - JFETs / 2N4393-E3
Número de pieza del fabricante | 2N4393-E3 |
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Número de parte futuro | FT-2N4393-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N4393-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 40V |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 20V |
Drenaje Actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 500mV @ 1nA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14pF @ 20V |
Resistencia - RDS (On) | 100 Ohms |
Potencia - max | 1.8W |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-206AA (TO-18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N4393-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N4393-E3-FT |
PMBFJ108,215
NXP USA Inc.
PMBFJ111,215
NXP USA Inc.
PMBFJ112,215
NXP USA Inc.
PMBFJ113,215
NXP USA Inc.
PMBFJ174,215
NXP USA Inc.
PMBFJ175,215
NXP USA Inc.
PMBFJ176,215
NXP USA Inc.
PMBFJ310,215
NXP USA Inc.
2SK3320-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3320-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150T-4FGG900C
Xilinx Inc.
AGLN125V2-CSG81I
Microsemi Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
XC2VP30-5FFG896C
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144I
Microsemi Corporation
ICE40LP4K-CM225
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360HF35I3
Intel