casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 25LC128T-I/SM
Número de pieza del fabricante | 25LC128T-I/SM |
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Número de parte futuro | FT-25LC128T-I/SM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC128T-I/SM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC128T-I/SM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 25LC128T-I/SM-FT |
GD25VE40CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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