casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 25LC1024T-E/SM
Número de pieza del fabricante | 25LC1024T-E/SM |
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Número de parte futuro | FT-25LC1024T-E/SM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC1024T-E/SM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 6ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC1024T-E/SM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 25LC1024T-E/SM-FT |
GD25LQ16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited