casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 25LC010AT-I/MS
Número de pieza del fabricante | 25LC010AT-I/MS |
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Número de parte futuro | FT-25LC010AT-I/MS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC010AT-I/MS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-MSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC010AT-I/MS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 25LC010AT-I/MS-FT |
11AA161-I/MS
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11AA161T-I/MS
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11LC010-E/MS
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11LC010T-E/MS
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11LC020-E/MS
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11LC020T-E/MS
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11LC020T-I/MS
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11LC040-E/MS
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XC4006E-2TQ144I
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A54SX32A-CQ208M
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M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel