casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 24LC02BT-E/MNY
Número de pieza del fabricante | 24LC02BT-E/MNY |
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Número de parte futuro | FT-24LC02BT-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
24LC02BT-E/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24LC02BT-E/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 24LC02BT-E/MNY-FT |
W25Q16JLZPIG TR
Winbond Electronics
W25Q16JVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q256JVEIM
Winbond Electronics
W25Q256JVEIM TR
Winbond Electronics
W25Q256JVEIQ
Winbond Electronics
W25Q256JVEIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JVZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32JWZPIQ
Winbond Electronics
W25Q32JWZPIQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FWZPIG TR
Winbond Electronics
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel