casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 24C02CT-E/MNY
Número de pieza del fabricante | 24C02CT-E/MNY |
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Número de parte futuro | FT-24C02CT-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
24C02CT-E/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 100kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 1.5ms |
Tiempo de acceso | 3500ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24C02CT-E/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 24C02CT-E/MNY-FT |
M95640-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
W25M02GVZEIG TR
Winbond Electronics
W25M02GVZEIT TR
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W25M512JVEIQ
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A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel