casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 24AA512T-I/SM
Número de pieza del fabricante | 24AA512T-I/SM |
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Número de parte futuro | FT-24AA512T-I/SM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
24AA512T-I/SM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24AA512T-I/SM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 24AA512T-I/SM-FT |
IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
24LC256T-I/SM
Microchip Technology
25LC1024T-I/SM
Microchip Technology
GD25D05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel