casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 23LCV512-E/P
Número de pieza del fabricante | 23LCV512-E/P |
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Número de parte futuro | FT-23LCV512-E/P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23LCV512-E/P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Dual I/O |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23LCV512-E/P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 23LCV512-E/P-FT |
93LC46B-E/P
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5SGXEB6R2F40C2L
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Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
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