casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 23A512T-I/ST
Número de pieza del fabricante | 23A512T-I/ST |
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Número de parte futuro | FT-23A512T-I/ST |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23A512T-I/ST Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2.2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23A512T-I/ST Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 23A512T-I/ST-FT |
24LC08BT-E/ST
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24LC16B-E/ST
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24LC16B/ST
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24LC32AXT-I/ST
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24LC512-E/ST
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FG144I
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC5VLX30-1FFG324CES
Xilinx Inc.
5AGXBB7D6F35C6N
Intel
EP1C12F324C6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
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