Número de pieza del fabricante | 1N916B |
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Número de parte futuro | FT-1N916B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N916B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 20mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N916B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N916B-FT |
BAS3005A02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT5402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS3005B02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202VH6327XTSA1
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BAS1602VH6327XTSA1
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BAS5202VH6433XTMA1
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BAS 16-02V E6327
Infineon Technologies
BAS 3005A-02V E6327
Infineon Technologies
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
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EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
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10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel