Número de pieza del fabricante | 1N914 |
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Número de parte futuro | FT-1N914 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N914 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 10mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N914 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N914-FT |
BAS5202VE6127XT
Infineon Technologies
BAT 54-02V E6327
Infineon Technologies
BAS2103WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT165E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS170WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT60AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS140WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS1603WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT5403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS3010A03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel