casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N8030-GA
Número de pieza del fabricante | 1N8030-GA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N8030-GA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N8030-GA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 650V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 750mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.39V @ 750mA |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 650V |
Capacitancia a Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-257-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-257 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 250°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8030-GA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N8030-GA-FT |
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