casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N6701US
Número de pieza del fabricante | 1N6701US |
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Número de parte futuro | FT-1N6701US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6701US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 470mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, C |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5C |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6701US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6701US-FT |
1N5287UR-1
Microsemi Corporation
1N5288-1
Microsemi Corporation
1N5289UR-1
Microsemi Corporation
1N5291UR-1
Microsemi Corporation
1N5292-1
Microsemi Corporation
1N5293-1
Microsemi Corporation
1N5293UR-1
Microsemi Corporation
1N5294-1
Microsemi Corporation
1N5296-1
Microsemi Corporation
1N5296UR-1
Microsemi Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel