Número de pieza del fabricante | 1N6662 |
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Número de parte futuro | FT-1N6662 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N6662 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | - |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6662 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6662-FT |
JAN1N5552
Microsemi Corporation
JAN1N5553
Microsemi Corporation
JAN1N5553US
Microsemi Corporation
JAN1N5554
Microsemi Corporation
JAN1N5615
Microsemi Corporation
JAN1N5616US
Microsemi Corporation
JAN1N5617US
Microsemi Corporation
JAN1N5618
Microsemi Corporation
JAN1N5619US
Microsemi Corporation
JAN1N5620US
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel