casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N6624US
Número de pieza del fabricante | 1N6624US |
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Número de parte futuro | FT-1N6624US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6624US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 990V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.55V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 990V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | A-MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6624US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6624US-FT |
1N4532
Microsemi Corporation
1N4532UR
Microsemi Corporation
1N4534
Microsemi Corporation
1N4534UR
Microsemi Corporation
1N4550A
Microsemi Corporation
1N4551A
Microsemi Corporation
1N4552A
Microsemi Corporation
1N4553A
Microsemi Corporation
1N483
Microsemi Corporation
1N483A
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XC6SLX4-2TQG144I
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XCVU095-H1FFVC1517E
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Intel
10AX027E3F27E2SG
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EP3SL110F1152C4LN
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XC4005XL-1PC84C
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LFE2-6SE-6F256C
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LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
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