casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N6622US
Número de pieza del fabricante | 1N6622US |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N6622US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6622US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 660V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 1.2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 660V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | A-MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6622US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6622US-FT |
SB250S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UES1305SM
Microsemi Corporation
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel