casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N6461US
Número de pieza del fabricante | 1N6461US |
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Número de parte futuro | FT-1N6461US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6461US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 5V |
Voltaje - Avería (Min) | 5.6V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 9V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 315A (8/20µs) |
Potencia - Pulso pico | 500W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, Axial |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6461US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6461US-FT |
JAN1N6143A
Microsemi Corporation
JAN1N6144A
Microsemi Corporation
JAN1N6145A
Microsemi Corporation
JAN1N6147A
Microsemi Corporation
JAN1N6148A
Microsemi Corporation
JAN1N6149A
Microsemi Corporation
JAN1N6150A
Microsemi Corporation
JAN1N6151A
Microsemi Corporation
JAN1N6152A
Microsemi Corporation
JAN1N6153A
Microsemi Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
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EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
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AX1000-FG676I
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A42MX24-3TQG176
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LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation