Número de pieza del fabricante | 1N646-1 |
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Número de parte futuro | FT-1N646-1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N646-1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 400mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 400mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50nA @ 300V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N646-1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N646-1-FT |
1N4449 BK
Central Semiconductor Corp
1N4458
Microsemi Corporation
1N4458R
Microsemi Corporation
1N4459
Microsemi Corporation
1N4459R
Microsemi Corporation
1N4508
Microsemi Corporation
1N4509
Microsemi Corporation
1N4511
Microsemi Corporation
1N4525
Microsemi Corporation
1N4526
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel