casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N645-1E3
Número de pieza del fabricante | 1N645-1E3 |
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Número de parte futuro | FT-1N645-1E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N645-1E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 225V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 400mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 400mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50nA @ 225V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 (DO-204AH) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N645-1E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N645-1E3-FT |
RS2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB250S-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS210HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9HE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel