casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N6382HE3_A/C
Número de pieza del fabricante | 1N6382HE3_A/C |
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Número de parte futuro | FT-1N6382HE3_A/C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
1N6382HE3_A/C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 8V |
Voltaje - Avería (Min) | 9.4V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 11.6V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 100A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1.5KE |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6382HE3_A/C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6382HE3_A/C-FT |
1N6276A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6277A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6277AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6279A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6279A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel