casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N6382HE3/51
Número de pieza del fabricante | 1N6382HE3/51 |
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Número de parte futuro | FT-1N6382HE3/51 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
1N6382HE3/51 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 8V |
Voltaje - Avería (Min) | 9.4V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 11.6V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 100A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1.5KE |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6382HE3/51 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6382HE3/51-FT |
1N6269AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6270AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6271AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6274AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275AHE3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N3F45I4N
Intel
5SGXMB6R1F43I2N
Intel
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C4
Intel
EP2S60F1020C4N
Intel