casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N6311US
Número de pieza del fabricante | 1N6311US |
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Número de parte futuro | FT-1N6311US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6311US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 500mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 29 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 1A |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6311US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6311US-FT |
3EZ150D2/TR8
Microsemi Corporation
3EZ150D2E3/TR12
Microsemi Corporation
3EZ150D2E3/TR8
Microsemi Corporation
3EZ150D5/TR12
Microsemi Corporation
3EZ150D5/TR8
Microsemi Corporation
3EZ150D5E3/TR12
Microsemi Corporation
3EZ150D5E3/TR8
Microsemi Corporation
3EZ150DE3/TR12
Microsemi Corporation
3EZ150DE3/TR8
Microsemi Corporation
3EZ160D/TR12
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel