Número de pieza del fabricante | 1N6304 |
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Número de parte futuro | FT-1N6304 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N6304 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | - |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6304 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6304-FT |
1N4248GP-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4254
Microsemi Corporation
1N4255
Microsemi Corporation
1N4256
Microsemi Corporation
1N4305-1
Microsemi Corporation
1N4305-1E3
Microsemi Corporation
1N4446 BK
Central Semiconductor Corp
1N4448 BK
Central Semiconductor Corp
1N4449 BK
Central Semiconductor Corp
1N4458
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel