casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N6132US
Número de pieza del fabricante | 1N6132US |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N6132US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N6132US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | - |
Voltaje - Avería (Min) | - |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | - |
Aplicaciones | - |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6132US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6132US-FT |
1N5636
Microsemi Corporation
1N5636A
Microsemi Corporation
1N5637
Microsemi Corporation
1N5638
Microsemi Corporation
1N5638A
Microsemi Corporation
1N5639
Microsemi Corporation
1N5639A
Microsemi Corporation
1N5640
Microsemi Corporation
1N5640A
Microsemi Corporation
1N5641
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel