casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N6130US
Número de pieza del fabricante | 1N6130US |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N6130US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N6130US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | - |
Voltaje - Avería (Min) | - |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | - |
Aplicaciones | - |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6130US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6130US-FT |
1N5635
Microsemi Corporation
1N5635A
Microsemi Corporation
1N5636
Microsemi Corporation
1N5636A
Microsemi Corporation
1N5637
Microsemi Corporation
1N5638
Microsemi Corporation
1N5638A
Microsemi Corporation
1N5639
Microsemi Corporation
1N5639A
Microsemi Corporation
1N5640
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel