casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N6119US
Número de pieza del fabricante | 1N6119US |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N6119US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N6119US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | - |
Voltaje - Avería (Min) | - |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | - |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | - |
Potencia - Pulso pico | - |
Protección de línea eléctrica | - |
Aplicaciones | - |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6119US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6119US-FT |
1N5629
Microsemi Corporation
1N5629A
Microsemi Corporation
1N5630
Microsemi Corporation
1N5630A
Microsemi Corporation
1N5631
Microsemi Corporation
1N5632
Microsemi Corporation
1N5632A
Microsemi Corporation
1N5633
Microsemi Corporation
1N5633A
Microsemi Corporation
1N5634
Microsemi Corporation
EPF10K20TI144-4N
Intel
M2GL050-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SGES
Intel
5SGSMD3H1F35C2N
Intel