casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / 1N6118US
Número de pieza del fabricante | 1N6118US |
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Número de parte futuro | FT-1N6118US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6118US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 25.1V |
Voltaje - Avería (Min) | 29.83V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 47.99V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 10.36A |
Potencia - Pulso pico | 500W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6118US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6118US-FT |
JAN1N6149A
Microsemi Corporation
JAN1N6150A
Microsemi Corporation
JAN1N6151A
Microsemi Corporation
JAN1N6152A
Microsemi Corporation
JAN1N6153A
Microsemi Corporation
JAN1N6154A
Microsemi Corporation
JAN1N6155A
Microsemi Corporation
JAN1N6156A
Microsemi Corporation
JAN1N6157A
Microsemi Corporation
JAN1N6158A
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel