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Microsemi Corporation 1N6080US
- Número de pieza de MFG
- 1N6080US
- Cantidad disponible
- 67580 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Microsemi Corporation
- Breve descripción
- - DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Diodos - Rectificadores - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- 1N6080US.pdf
1N6080US Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | 1N6080US |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-1N6080US |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| 1N6080US Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
| Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 37.7A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
| Capacitancia a Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | SQ-MELF, G |
| Paquete del dispositivo del proveedor | G-MELF (D-5C) |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 155°C |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 1N6080US Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | 1N6080US-FT |
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