casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N6012A
Número de pieza del fabricante | 1N6012A |
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Número de parte futuro | FT-1N6012A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6012A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolerancia | ±10% |
Potencia - max | 500mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 110 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 21V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6012A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6012A-FT |
1N5750B
Microsemi Corporation
1N5750C
Microsemi Corporation
1N5750D
Microsemi Corporation
1N5751B
Microsemi Corporation
1N5751C
Microsemi Corporation
1N5751D
Microsemi Corporation
1N5752B
Microsemi Corporation
1N5752C
Microsemi Corporation
1N5752D
Microsemi Corporation
1N5753C
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.