casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N6012A
Número de pieza del fabricante | 1N6012A |
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Número de parte futuro | FT-1N6012A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6012A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolerancia | ±10% |
Potencia - max | 500mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 110 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 21V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6012A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6012A-FT |
1N5750B
Microsemi Corporation
1N5750C
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1N5750D
Microsemi Corporation
1N5751B
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1N5751C
Microsemi Corporation
1N5751D
Microsemi Corporation
1N5752B
Microsemi Corporation
1N5752C
Microsemi Corporation
1N5752D
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1N5753C
Microsemi Corporation
EP1K30TC144-3
Intel
XCKU095-2FFVC1517E
Xilinx Inc.
XC2V250-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGSED6K3F40I3N
Intel
5SGSMD4E2H29C3N
Intel
A40MX04-1PL44M
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SBC356-2
Intel