casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N6010B
Número de pieza del fabricante | 1N6010B |
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Número de parte futuro | FT-1N6010B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6010B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 500mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 70 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 21V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6010B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6010B-FT |
1N5748B
Microsemi Corporation
1N5748C
Microsemi Corporation
1N5748D
Microsemi Corporation
1N5749B
Microsemi Corporation
1N5749C
Microsemi Corporation
1N5749D
Microsemi Corporation
1N5750B
Microsemi Corporation
1N5750C
Microsemi Corporation
1N5750D
Microsemi Corporation
1N5751B
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FG676C
Xilinx Inc.
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N1F45I1SG
Intel
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP1C4F324C8
Intel