casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N6006B TR
Número de pieza del fabricante | 1N6006B TR |
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Número de parte futuro | FT-1N6006B TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6006B TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 500mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 42 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 14V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 100mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6006B TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6006B TR-FT |
1N5920B
Microsemi Corporation
1N5920C
Microsemi Corporation
1N5921B
Microsemi Corporation
1N5922B
Microsemi Corporation
1N5925B
Microsemi Corporation
1N5925D
Microsemi Corporation
1N5929A
Microsemi Corporation
1N5929B
Microsemi Corporation
1N5930C
Microsemi Corporation
1N5934B
Microsemi Corporation
A3PN020-1QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
EP4S100G3F45I2N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760I
Xilinx Inc.
XC5VLX330T-2FF1738C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
5AGXBB5D4F35C4N
Intel
EPF10K50SQC208-1X
Intel