Número de pieza del fabricante | 1N5833R |
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Número de parte futuro | FT-1N5833R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5833R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 40A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 40A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 20mA @ 10V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5833R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5833R-FT |
SRAS2040 RNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SMBD1122LT3G
ON Semiconductor
150K100A
GeneSiC Semiconductor
150K20A
GeneSiC Semiconductor
150K40A
GeneSiC Semiconductor
150K60A
GeneSiC Semiconductor
150K80A
GeneSiC Semiconductor
150KR100A
GeneSiC Semiconductor
150KR20A
GeneSiC Semiconductor
150KR80A
GeneSiC Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel