Número de pieza del fabricante | 1N5833R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N5833R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5833R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 40A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 40A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 20mA @ 10V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5833R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5833R-FT |
SRAS2040 RNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SMBD1122LT3G
ON Semiconductor
150K100A
GeneSiC Semiconductor
150K20A
GeneSiC Semiconductor
150K40A
GeneSiC Semiconductor
150K60A
GeneSiC Semiconductor
150K80A
GeneSiC Semiconductor
150KR100A
GeneSiC Semiconductor
150KR20A
GeneSiC Semiconductor
150KR80A
GeneSiC Semiconductor
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel