Número de pieza del fabricante | 1N5831R |
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Número de parte futuro | FT-1N5831R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5831R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 580mV @ 25A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2mA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5831R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5831R-FT |
RL107FTA
SMC Diode Solutions
RL107TA
SMC Diode Solutions
SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SDUR2060W
SMC Diode Solutions
SRAS2040 RNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SMBD1122LT3G
ON Semiconductor
150K100A
GeneSiC Semiconductor
150K20A
GeneSiC Semiconductor
150K40A
GeneSiC Semiconductor
150K60A
GeneSiC Semiconductor
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel