Número de pieza del fabricante | 1N5829R |
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Número de parte futuro | FT-1N5829R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5829R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 580mV @ 25A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2mA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5829R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5829R-FT |
RL105FTA
SMC Diode Solutions
RL105TA
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RL107TA
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SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SDUR2060W
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SRAS2040 RNG
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ON Semiconductor
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
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XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation