casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5822 B0G
Número de pieza del fabricante | 1N5822 B0G |
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Número de parte futuro | FT-1N5822 B0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5822 B0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 525mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacitancia a Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5822 B0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5822 B0G-FT |
UG54GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG56G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG56GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG58G R0G
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1N5820 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
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FR304G A0G
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FR307G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR4L20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
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XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
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LCMXO1200E-3FTN256C
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10M40DAF256I6G
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XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel