casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5820HR0G
Número de pieza del fabricante | 1N5820HR0G |
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Número de parte futuro | FT-1N5820HR0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5820HR0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 475mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5820HR0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5820HR0G-FT |
SF63GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64GHB0G
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SF65G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF65GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
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Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel