casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5819 R1G
Número de pieza del fabricante | 1N5819 R1G |
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Número de parte futuro | FT-1N5819 R1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5819 R1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 600mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 40V |
Capacitancia a Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819 R1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5819 R1G-FT |
SR110 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4936G A0G
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1N4936GHA0G
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BA157G B0G
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BA157GHB0G
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Taiwan Semiconductor Corporation
BA158GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-4TQG144I
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XC7S50-1FGGA484I
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A54SX08A-1FG144
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EP20K1000EFC672-1
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EP3C25U256C7
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5SGSMD5H2F35I2LN
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A1020B-PL44C
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LFE2M35E-6F256C
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