casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5818 A0G
Número de pieza del fabricante | 1N5818 A0G |
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Número de parte futuro | FT-1N5818 A0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5818 A0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5818 A0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5818 A0G-FT |
HER106G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G A0G
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FR103G A0G
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FR104G A0G
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Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G A0G
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Taiwan Semiconductor Corporation
SR110 A0G
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1N4936GHA0G
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XC7A75T-1FTG256I
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Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
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AT40K10-2EQI
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel