casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5817HR1G
Número de pieza del fabricante | 1N5817HR1G |
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Número de parte futuro | FT-1N5817HR1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5817HR1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 450mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817HR1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5817HR1G-FT |
UF4007 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA159G A0G
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FR103G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR104G A0G
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HER102G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF18G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
1N4936G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
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5SGXEB5R2F40C2L
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5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
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EPF10K130EQC240-2
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