casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5817HR0G
Número de pieza del fabricante | 1N5817HR0G |
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Número de parte futuro | FT-1N5817HR0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5817HR0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 450mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5817HR0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5817HR0G-FT |
UF1BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1BHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1D R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel