casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5627-TAP
Número de pieza del fabricante | 1N5627-TAP |
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Número de parte futuro | FT-1N5627-TAP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5627-TAP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 7.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | SOD-64, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-64 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5627-TAP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5627-TAP-FT |
LS4154GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4148-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS83-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4150GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS82-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL43-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel