casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5617US
Número de pieza del fabricante | 1N5617US |
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Número de parte futuro | FT-1N5617US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5617US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5617US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5617US-FT |
CD2010-B160
Bourns Inc.
CD2010-B140
Bourns Inc.
CD1607-B120LLF
Bourns Inc.
CD1607-B140LF
Bourns Inc.
CD1408-FU1400
Bourns Inc.
CD1408-R11000
Bourns Inc.
CD1408-F1400
Bourns Inc.
CD1408-FF11000
Bourns Inc.
CD1408-FU1800
Bourns Inc.
CD1408-F11000
Bourns Inc.
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel