Número de pieza del fabricante | 1N5553 |
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Número de parte futuro | FT-1N5553 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5553 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 9A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | B, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5553 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5553-FT |
DSB5822
Microsemi Corporation
MS104/TR12
Microsemi Corporation
MS104/TR8
Microsemi Corporation
MS104E3/TR12
Microsemi Corporation
MS104E3/TR8
Microsemi Corporation
MS105/TR12
Microsemi Corporation
MS105/TR8
Microsemi Corporation
MS105E3/TR12
Microsemi Corporation
MS105E3/TR8
Microsemi Corporation
MS106/TR12
Microsemi Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
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LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
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EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
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LCMXO2-7000HC-6BG256I
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EPF6016QC208-2N
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EP4SGX110FF35C4
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