casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5416US
Número de pieza del fabricante | 1N5416US |
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Número de parte futuro | FT-1N5416US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5416US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 9A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | E-MELF |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5B |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5416US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5416US-FT |
MS105/TR8
Microsemi Corporation
MS105E3/TR12
Microsemi Corporation
MS105E3/TR8
Microsemi Corporation
MS106/TR12
Microsemi Corporation
MS106/TR8
Microsemi Corporation
MS106E3/TR12
Microsemi Corporation
MS106E3/TR8
Microsemi Corporation
MS108/TR12
Microsemi Corporation
MS108/TR8
Microsemi Corporation
MS108E3/TR12
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
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A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
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5SGSED6N2F45C2N
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EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel