casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5408-G
Número de pieza del fabricante | 1N5408-G |
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Número de parte futuro | FT-1N5408-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5408-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-27 (DO-201AD) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5408-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5408-G-FT |
CDBB240-G
Comchip Technology
CGRB201-G
Comchip Technology
CDBB2100-HF
Comchip Technology
CDBB3100-HF
Comchip Technology
CDBB160-HF
Comchip Technology
CSFB203-G
Comchip Technology
CGRB207-G
Comchip Technology
CDBB340-HF
Comchip Technology
CFRB207-G
Comchip Technology
CGRB304-G
Comchip Technology
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel