casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N5367/TR12
Número de pieza del fabricante | 1N5367/TR12 |
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Número de parte futuro | FT-1N5367/TR12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5367/TR12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 43V |
Tolerancia | ±20% |
Potencia - max | 5W |
Impedancia (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 31V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 1A |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | T-18, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | T-18 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5367/TR12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5367/TR12-FT |
1N5361/TR12
Microsemi Corporation
1N5361/TR8
Microsemi Corporation
1N5361A/TR12
Microsemi Corporation
1N5361A/TR8
Microsemi Corporation
1N5361AE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5361AE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5361AE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5361B/TR12
Microsemi Corporation
1N5361B/TR8
Microsemi Corporation
1N5361BE3/TR12
Microsemi Corporation
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
EP4S100G5H40I2
Intel
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F31I5N
Intel