casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N5239B-TR
Número de pieza del fabricante | 1N5239B-TR |
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Número de parte futuro | FT-1N5239B-TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5239B-TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 500mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 3µA @ 7V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5239B-TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5239B-TR-FT |
TZX3V9C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX3V9C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX4V7B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX4V7C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX4V7D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX4V7D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX5V1A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX5V1B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX5V1B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX5V6B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
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Intel