casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5061TAP
Número de pieza del fabricante | 1N5061TAP |
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Número de parte futuro | FT-1N5061TAP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5061TAP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 2.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | SOD-57, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-57 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5061TAP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5061TAP-FT |
BYT56K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT77-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT77-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYT78-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-050-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV28-150-TAP
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BYV28-200-RAS15-10
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BYV28-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
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LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
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