Número de pieza del fabricante | 1N4942 |
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Número de parte futuro | FT-1N4942 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4942 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | A, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4942 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4942-FT |
APT10SCD120K
Microsemi Corporation
APT30DQ60KG
Microsemi Corporation
MSC010SDA120K
Microsemi Corporation
APT15D60KG
Microsemi Corporation
APT30DQ100KG
Microsemi Corporation
MSC030SDA120K
Microsemi Corporation
APT10SCD65K
Microsemi Corporation
APT15D30KG
Microsemi Corporation
APT15D40KG
Microsemi Corporation
APT15S20KG
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel