Número de pieza del fabricante | 1N459TR |
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Número de parte futuro | FT-1N459TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N459TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 500mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25nA @ 175V |
Capacitancia a Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N459TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N459TR-FT |
BAS 3020B E6327
Infineon Technologies
BAS3020BH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS5202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS3005A02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT5402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS3005B02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS1602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel